| f | femto | 10-15 |
| p | piko | 10-12 |
| n | nano | 10-9 |
| u | mikro | 10-6 |
| m | mili | 10-3 |
| k | kilo | 10+3 |
| meg | mega | 10+6 |
| G | giga | 10+9 |
| T | tera | 10+12 |
| Symbol | Opis |
| T | Czas w sekundach |
| F | Częstotliwość w Hz |
| DCINPUT1 | Wartość zmiennej Variable 1 w symulacji stałoprądowej |
| E | Podstawa logarytmu naturalnego, EXP(1) = 2.718281828 |
| S | Częstotliwość zespolona = 2*PI*J |
| GMIN | Minimalna konduktancja podana w Global settings |
| PI | Liczba p=3.141592653589795 |
| TEMP | Temperatura układu w czasie symulacji w °C |
| VT | 1.3806226e-23*(273.15+TEMP)/1.6021918e-19=25.86419mV w temperaturze TEMP=27°C (potencjał elektrokinetyczny) |
| J | Pierwiastek kwadratowy z -1 (jednostka urojona) |
| Tmin | Czas początkowy symulacji czasowej |
| Tmax | Czas końcowy symulacji czasowej |
| Fmin | Częstotliwość początkowa symulacji częstotliwościowej |
| Fmax | Częstotliwość końcowa symulacji częstotliwościowej |
| PGT | Całkowita moc generowana w układzie |
| PST | Całkowita moc gromadzona w układzie |
| PDT | Całkowita moc rozpraszana w układzie |
| Nazwa zmiennej | Opis | Przykłady |
| D(A) | Stan logiczny w węźle A | D(2) D(clock) |
| V(A) | Potencjał węzła A (napięcie względem masy) | V(1) V(Out) |
| V(A,B) | Napięcie pomiędzy końcówkami A i B V(A,B)=V(A)-V(B) | V(16,1) V(OUT,IN) |
| V(D) | Napięcie na elemencie D (spadek napięcia lub SEM źródła) | V(C1) V(1N4148) V(Lp) |
| I(D) | Prąd płynący przez element D | I(R1) I(Vcc) |
| I(A,B) | Prąd płynący przez element wyrażony poprzez użycie węzłów A i B | I(2,3) I(Out1,Out2) |
| IR(Q) | Prąd płynący do końcówki "R" elementu Q | IC(2N2222A) ID(m1) |
| VRS(Q) | Napięcie pomiędzy końcówkami "R" i "S" elementu Q | Vbe(2N2907) Vgs(J308) VApAm(T1) |
| CRS(Q) | Pojemność pomiędzy końcówkami "R" i "S elementu Q | Cbc(Q1) Cgs(IRF710) |
| QRS(Q) | Ładunek zgromadzony w pojemności pomiędzy końcówkami "R i "S" elementu Q | Qeb(Qnpn) qdg(B1) |
| R(R) | Rezystancja rezystora R | r(r1) R(Rload) |
| C(X) | Pojemność kondensatora lub diody X | C(1N914) c(C4) |
| Q(X) | Ładunek zgromadzony w kondensatorze lub diodzie X | Q(1N4001) q(C1) |
| L(L) | Indukcyjność cewki lub rdzenia L | L(Core1) L(LP) |
| X(L) | Strumień magnetyczny w cewce lub rdzeniu L | X(3C8) X(Lsec) |
| B(L) | Indukcja magnetyczna w rdzeniu L | B(3C4) B(Core) |
| H(L) | Natężenie pola magnetycznego w rdzeniu L | H(801F) H(core3) |
| T | Czas | t T |
| F | Częstotliwość | F f |
| S | Częstotliwość zespolona = j×w = j×2×p×f | S s |
| RND | Liczba losowa (0<= RND <=1) | RND rnd |
| ONOISE | Napięcie szumów na węźle wyjściowym | onoise Onoise |
| INOISE | Napięcie szumów odniesione do węzła wejściowego (ONOISE/wzmocnienie) | Inoise INOISE |
| PG(V) | Moc generowana przez źródło V | PG(Vin) Pg(v10) |
| PS(X) | Moc gromadzona pojemnościowo lub indukcyjnie w elemencie X | PS(C1) Ps(Q1) |
| PD(D) | Moc rozpraszana (tracona) w elemencie D | PD(R1) Pd(M1) |
| Element | Oznaczenie końcówki | Nazwa końcówki |
| Tranzystor polowy MOSFET | D,G,S,B | Drain, Gate, Source, Bulk |
| Tranzystor polowy JFET | D,G,S | Drain, Gate, Source |
| Tranzystor GaAsFET | D,G,S | Drain, Gate, Source |
| Tranzystor bipolarny (BJT) | B,E,C,S | Base, Emitter, Collector, Substrate |
| Linia długa | AP,AM,BP,BM | Plus in, Minus in, Plus out, Minus out |
| Q1.BF | wzmocnienie b tranzystora Q1 (bipolarnego - BJT) |
| M1.GAMMA | parametr GAMMA tranzystora M1 (MOSFET) |
| J1.VTO | UGS(off) tranzystora J1 (JFET) |
| + | Dodawanie |
| - | Odejmowanie |
| * | Mnożenie |
| / | Dzielenie |
| MOD | Funkcja modulo (reszta z dzielenia) |
| DIV | Dzielenie bez reszty |
| AND | iloczyn logiczny |
| NAND | negacja iloczynu logicznego |
| NOR | negacja sumy logicznej |
| NOT | negacja logiczna |
| OR | suma logiczna |
| XOR | suma modulo 2 |
| DB(X) | moduł wyrażenia X wyrażony w decybelach = 20*log(|X|) |
| RE(X) | część rzeczywista wyrażenia X |
| IM(X) | część urojona wyrażenia X |
| MAG(X) | moduł wyrażenia X |
| PH(X) | argument (faza) wyrażenia X w stopniach |
| GD(X) | opóźnienie grupowe = Delta(phase of X)/Delta(frequency) |
| HEX(A,B,C,D) | Wartość szesnastkowa stanów logicznych w węzłach A, B, C, D |
| BIN(A,B,C,D) | Wartość dwójkowa stanów logicznych w węzłach A, B, C, D |
| DEC(A,B,C,D) | Wartość dziesiętna stanów logicznych w węzłach A, B, C, D |
| OCT(A,B,C,D) | Wartość ósemkowa stanów logicznych w węzłach A, B, C, D |
| + | Suma dwóch wartości dwójkowych, ósemkowych, szesnastkowych lub dziesiętnych |
| - | Różnica dwóch wartości dwójkowych, ósemkowych, szesnastkowych lub dziesiętnych |
| MOD | Funkcja modulo (reszta z dzielenia) dwóch wartości dwójkowych, ósemkowych, szesnastkowych lub dziesiętnych |
| DIV | Dzielenie całkowite dwóch wartości dwójkowych, ósemkowych, szesnastkowych lub dziesiętnych |
| & | Funkacja AND stanów logicznych dwóch węzłów |
| | | Funkacja OR stanów logicznych dwóch węzłów |
| ^ | Funkacja XOR stanów logicznych dwóch węzłów |
| ~ | Funkacja NOT stanów logicznych dwóch węzłów |
| Względem dowolnej zmiennej | |
| SUM(y,x[,start]) | Całkowanie wyrażenia "y": ňy×dx
Całkowanie rozpoczyna się dla x=start. Domyślnie, "start" przyjmuje wartość minimalną dla danej symulacji (tmin, fmin, dcmin), lub 0, w zależności od zmiennej całkowania x. |
| Względem zmiennej T, F lub DCINPUT1 | |
| SD(y[,start]) | Całkowanie wyrażenia "y": ňy×dx
x jest zmienną T, F lub DCINPUT1 w zależności od rodzaju symulacji. Parametr "start" - patrz SUM. |
| DD(y) | Różniczkowanie numeryczne wyrażenia "y" - obliczanie pochodnej dy/dx
Zmienna x - patrz SD. |
| RMS(y[,start]) | Obliczanie wartości skutecznej RMS (root-mean-square)
wyrażenia "y" względem T, F lub DCINPUT1 (w zależności od rodzaju symulacji).
Parametr "start" - patrz SUM. |
| AVG(y,[start]) | Obliczanie wartości średniej AVG (average)
wyrażenia "y"
Uwagi - jak dla RMS. |
| Tylko względem zmiennej T (czas) | |
| SDT(y) | Całkowanie względem czasu ňy×dt
Całkowanie rozpoczyna się dla t=tmin. |
| DDT(y) | Różniczkowanie numeryczne względem czasu, dy/dt |
| Inne | |
| DEL(y) | Zmiana wartości y od poprzedniego do bieżącego punktu danych
Wyrażenie DEL(y)/DEL(t) jest przybliżeniem pochodnej dy/dt. |
| != lub <> | różny | < | mniejszy | |
| == | równy | >= | większy lub równy | |
| > | większy | <= | mniejszy lub równy |
| MIN(x,y) | Wartość mniejsza z "x" i "y" |
| MAX(x,y) | Wartość większa z "x" i "y" |
| IF(b,x,y) | Funkcja warunkowa. Przyjmuje wartości:
IF(b,x,y)=x jeżeli wyrażenie logiczne "b" jest prawdziwe IF(b,x,y)=y jeżeli wyrażenie logiczne "b" jest fałszywe |
| HARM(u) | Harmoniczne sygnału u |
| FFT(u) | Transformata Fouriera sygnału u |
| IFT(S) | Odwrotna transformata Fouriera widma S |
| REAL(S) | Część rzeczywista widma S obliczonego przez FFT |
| IMAG(S) | Część urojona widma S obliczonego przez FFT |
| MAG(S) | Moduł widma S obliczonego przez FFT |
| PHASE(S) | Argument (faza) widma S obliczonego przez FFT |
| funkcje trygonometryczne | |
| SIN(x) | sin(x), sinus, x w radianach |
| COS(x) | cos(x), cosinus, x w radianach |
| TAN(x) | tg(x), tangens, x w radianach |
| funkcje cyklometryczne (odwrotne funkcje trygonometryczne) | |
| ATN(x) | arctg(x), arcus tangens |
| ARCTAN(x) | arctg(x), arcus tangens |
| ATAN2(y,x) | arctg(y/x), arcus tangens = ATN(y/x) |
| ASIN(x) | arcsin(x), arcus sinus |
| ACOS(x) | arccos(x), arcus cosinus |
| funkcje hiperboliczne | |
| SINH(x) | sinh(x), sinus hiperboliczny |
| COSH(x) | cosh(x), cosinus hiperboliczby |
| TANH(x) | tgh(x), tangens hiperboliczny |
| COTH(x) | ctgh(x), cotangens hiperboliczny |
| odwrotne funkcje hiperboliczne | |
| ATANH(x) | artgh(x), area tangens |
| ACOSH(x) | arcosh(x), area cosinus |
| ASINH(x) | arsinh(x), area sinus |
| logarytmiczne | |
| LN(x) | ln|x|, logartm naturalny |
| LOG(x) | log|x|, logarytm dziesiętny |
| LOG10(x) | log|x|, logarytm dziesiętny |
| wykładnicze | |
| EXP(x) | exp(x)=e(x), exponens |
| ABS(y) | Wartość bezwzględna (moduł), |y| |
| SQRT(y) | Pierwiastek kwadratowy, y1/2 |
| SGN(y) | Funkcja "znak": SGN(y)=+1 jeżeli y>0 SGN(y)=-1 jeżeli y<0 SGN(y)=0 jeżeli y=0 |
| POW(y,x) | Potęga zespolona, yx |
| PWR(y,x) | Potęga rzeczywista, yx |
| ** | Potęga, np. 5**2=25 |
| RND | Liczba losowa z przedziału 0...1 |
| STP(x) | Funkcja skoku o amplitudzie = 1.0 (rozpoczęcie dla tłx) |
| IMPULSE(y) | Funkcja impulsowa o amplitudzie = y i powierzchni = 1.0 |
| D(1) & D(2) | Funkcja AND stanów logicznych węzła 1 i węzła 2 |
| D(1) | D(2) | Funkcja OR stanów logicznych węzła 1 i węzła 2 |
| HEX(A1,A2,A3,A4) + HEX(B1,B2,B3,B4) | Suma szesnastkowa liczb szesnastkowych
Pierwszy argument to wartość szesnastkowa stanów logicznych węzłów A1, A2, A3, A4 Drugi argument to wartość szesnastkowa stanów logicznych węzłów B1, B2, B3, B4 Wynik jest w postaci szesnastkowej. |
| 1.0/(1.0+.001*S) | Filtr dolnoprzepustowy. |
| 1.0/(1.0+.001*S+1e-6*S*S) | Filtr drugiego rzędu. |
| exp(-(s*C*(R+s*L))**0.5) | Linia długa.
R, L i C reprezentują parametry rozproszone linii na jednostkę długości i muszą być również zdefiniowane na schemacie. |
| exp(-T/.5)*sin(2*PI*10*T) | Wykładniczo tłumione źródło sinusoidalne o częstotliwości 10Hz. |
| -k*(v(p)-v(c)+mu*(v(g)-v(c)))**1.5 | Równanie prądowe triody.
v(p), v(c) i v(g) - odpowiednio potencjały anody, katody i siatki. Stałe "k" oraz "mu" muszą również być zdefiniowane na schemacie. |
| 2pF/((1-V(p,n)/.7)**.5) | Kondensator nieliniowy o pojemności zależnej od napięcia między węzłami "p" i "n" (np. pojemność złącza p-n) |
| 5.0pF*(1+2e-6*T) | Kondensator nieliniowy o pojemności zmiennej w czasie |
| 5*(1+2*(TEMP-273.15)**2) | Rezystor nieliniowy o rezystancji zależnej od temperatury |
| 4.7K*(1+.3*V(P,M)) | Rezystor nieliniowy o rezystancji zależnej od napięcia V(P,M) |
| 5*(1+2*(TEMP-273.15)**2) | Cewka nieliniowa o indukcyjności zależnej od temperatury |
| 2.6U*(1+(t-1e-7)**2) | Cewka nieliniowa o indukcyjności zmiennej w czasie |
| V(VCC)*I(VCC) | Moc chwilowa generowana przez źródło VCC |
| SUM(V(VCC)*I(VCC),T) | Energia dostarczana przez źródło VCC |
| DEL(I(L1))/DEL(T) | Numeryczne różniczkowanie prądu cewki L1 względem czasu |
| SUM(V(Out),T) | Numeryczne całkowanie napięcia w węźle Out względem czasu |
| SUM(V(OUT),T,5n) | Numeryczne całkowanie napięcia w węźle Out w przedziale czasu od t=5ns do końca czasu sumulacji |
| JN(5,V(10),30) | Obliczanie funkcji Bessela piątego rzędu pierwszego rodzaju |
| AVG(V(Out)) | Średnia wartość napięcia V(Out) |
| RMS(V(Out)) | Obliczanie wartości skutecznej napięcia V(Out) |
| DB(V(Out)) | Moduł napięcia V(Out) wyrażony w dB |
| 5*(T>10ns AND T<20ns) | Pojedynczy impuls prostokątny o amplitudzie 5V i czasie trwania od t=10ns do t=20ns |
| 5*((T mod 50)>10 AND (T mod 50)<20) | Impuls prostokątny 5V od t=10s do t=20s, powtarzany z okresem T=50s |
| IM(V(7)) | Część urojona napięcia zespolonego w węźle 7 |
| MAG(VCE(Q1)*IC(Q1)) | Moduł zespolonej mocy AC w tranzystorze Q1 |